2017年6月23日、韓國?中央日報は、1980年代に世界シェアの50％を超えるなど隆盛を極めた日本の半導(dǎo)體産業(yè)がその後沒落した背景には、韓國サムスン電子による「果敢な投資」があったと報じた。

89年まで東芝、NEC、米テキサス?インスツルメンツ（TI）に次いで市場シェア4位だったサムスン電子は、90年にシェア12．9％を確保し東芝（14．7％）に次ぐ2位となった。この急進(jìn)撃の背景には大きな経営判斷があったという。

88年當(dāng)時、業(yè)界はDRAM（隨時書き込み型メモリ）の集積率拡大競爭に明け暮れていた。1メガDRAMまでは記憶セルを平面構(gòu)造にする技術(shù)に優(yōu)位性があったが、4メガDRAMからは、さらに集積度を高めるために立體構(gòu)造技術(shù)を採用する必要があった。

當(dāng)時、立體構(gòu)造DRAMには、半導(dǎo)體チップを作るシリコンウエハー（高純度のシリコンを1ミリ厚程度の板狀に切斷したもの）を掘り込み、その中に構(gòu)造を重ねる「トレンチ構(gòu)造」と、シリコンウエハーの上に直接構(gòu)造を重ねていく「スタック構(gòu)造」の2方式が有力視されていたが、世界の半導(dǎo)體業(yè)界はそのどちらを採用するかで揺れていた。

サムスン電子でも同様に方式?jīng)Q定が急がれていたが、こうした中、グループの李健熙（イ?ゴンヒ）會長は、ある技術(shù)擔(dān)當(dāng)者からの「トレンチは欠陥が発生した場合にお手上げです」と報告を受け、その場でスタック方式で行くことを指示したという。

この指示の後には巨額投資が続いた。同社は91年に4500億ウォン（約440億円）、92年には8000億ウォン（約780億円）を投入、その結(jié)果、半導(dǎo)體市場進(jìn)出10年目の92年、DRAM市場シェア世界1位の座を獲得した。

一方、90年代半ばの日本半導(dǎo)體産業(yè)の沒落は加速。97年から「シリコンサイクル」（半導(dǎo)體産業(yè)の周期）の大不況が押し寄せ、日本企業(yè)は一様に業(yè)績悪化に陥った。2003年には三菱電機の半導(dǎo)體部門がエルピーダに吸収され、富士通は1999年、東芝は2001年に汎用DRAM事業(yè)から撤退した。

半導(dǎo)體宗主國日本と後発國韓國の地位逆転は、DRAMに続きNAND型フラッシュメモリ（不揮発性記憶素子を用いたメモリ）でも現(xiàn)実化したと、記事は指摘する。サムスン電子は研究開発に巨額を投じ一歩先んじた技術(shù)開発を行って大量生産で価格を下げると、他メーカーは追隨が不可能になった。サムスンは2002年にNAND型フラッシュメモリでも世界シェア1位となり、その後、一度もその座を明け渡していない。

16年現(xiàn)在、世界半導(dǎo)體市場シェアで日本は7％、韓國はDRAM、NAND型フラッシュメモリでそれぞれ50％以上のシェアを獲得し1位の座を守っている。

この報道を受け、韓國のネットユーザーからは「やはり財閥オーナーの迅速な判斷は有効なんだね」「韓國はオーナー1人が投資の責(zé)任を持つけど、日本は投資決定の根拠や、その手続きにも問題ないことが求められる」など、日韓の投資スタイルの違いに関連した意見が寄せられた。

一方で、「でも主要な製造裝置は日本製やアメリカ製だけど…」「製造裝置も全て國産化できたらいいね」など製造裝置に関連した意見や、「技術(shù)力の流出を常に注意せねばならない」「追い上げてくる中國には注意が必要」など懸念を訴える聲もみられた。（翻訳?編集/三田）