2020年6月22日、観察者網(wǎng)は、中國の大型半導(dǎo)體メーカーが月産30萬枚のフラッシュメモリー生産體制を整え、日米韓からの依存脫卻に向けて前進(jìn)する見込みだと報じた。

記事は、中國?清華紫光集団の情報として、傘下の長江存儲科技が湖北省武漢市の東湖新技術(shù)開発區(qū)にフラッシュメモリ生産工場を建築する第2期工事が著工したと紹介。第1期プロジェクトと合わせると月産能力は30萬枚に達(dá)すると伝えた。

また、長江存儲科技はすでに稼働している第1期工場で32層、64層の3D NANDの量産を?qū)g現(xiàn)し、今年4月には96層を飛び越え、業(yè)界內(nèi)の基地製品では最高となる128層のフラッシュメモリー量産を目指すことを発表したと紹介している。

その上で、計畫が実現(xiàn)すれば中國と日本、米國、韓國とのフラッシュメモリー技術(shù)の差は1～2年縮まるとの予測が出ているほか、長江存儲科技が大規(guī)模生産を?qū)g現(xiàn)したことにより今年は世界の64層3D NAND市場競爭が一層激しくなり、価格が下落して日米韓にとっては厳しい狀況になるとともに、中國の半導(dǎo)體業(yè)界における3カ國への依存狀況がさらに打破されることになると伝えた。（翻訳?編集/川尻）