2023年6月16日、仏國(guó)際放送局RFIの中國(guó)語(yǔ)版サイトは、韓國(guó)の検察當(dāng)局が中國(guó)にサムスン電子の「パクリ工場(chǎng)」を建設(shè)した同社元幹部ら7人を起訴したと報(bào)じた。

記事は、韓國(guó)の検察當(dāng)局が12日、2018?19年に同社の機(jī)密データや計(jì)畫(huà)、生産工程情報(bào)を盜み取り、中國(guó)に「パクリ半導(dǎo)體工場(chǎng)」を建設(shè)したとして同社の元幹部を含む7人を起訴したと紹介。この事案による同社の被害総額は3000億ウォン（約324億円）以上に上ると伝えた。

そして、起訴されたのは同社の元幹部のほかに、同社の下請(qǐng)け業(yè)者従業(yè)員1人、元幹部が作った會(huì)社の従業(yè)員5人の計(jì)7人であること、元幹部が同社に18年、SKハイニックスには副社長(zhǎng)の時(shí)期を含めて10年在籍し、15年に退職した後に四川省成都市から4600億ウォン（約510億円）を受け取って現(xiàn)地に半導(dǎo)體工場(chǎng)建設(shè)を任され、両者から従業(yè)員200人を2倍以上の給料で引き抜いたことを紹介した。

また、韓國(guó)検察當(dāng)局が集めたデータでは、半導(dǎo)體製造に必要なクリーンルームの建設(shè)計(jì)畫(huà)や、韓國(guó)政府が國(guó)家技術(shù)とみなしている30ナノメートル以下のDRAMチップ、NANDチップの製造に関する基本情報(bào)が含まれていたと指摘。プロジェクトはすでに始動(dòng)しており、昨年には研究開(kāi)発施設(shè)が完成していたと伝えた。

さらに、今回の事件について韓國(guó)國(guó)家情報(bào)院工業(yè)機(jī)密保護(hù)センターが発出した警報(bào)を受け、サムスン電子本社のある水原市の検察當(dāng)局が捜査を開(kāi)始し、5月に元幹部を逮捕したと紹介。元幹部は起訴內(nèi)容を否定しており、サムスンとSKの両社ともこの件についてコメントを出していないとした。

記事は、國(guó)際的な半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)が激化する中で機(jī)密情報(bào)が漏れる事案がますます多くなっており、大部分が中國(guó)向けの漏えいであると紹介。昨年末にはサムスンエンジニアリングの研究者9人が中國(guó)企業(yè)に半導(dǎo)體製造関連の機(jī)密情報(bào)を漏らした罪で有罪判決を受け、今年1月にもサムスン電子子會(huì)社の元従業(yè)員らが中國(guó)企業(yè)に半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)を違法に譲渡したとして起訴されたことを伝えている。（翻訳?編集/川尻）