中國(guó)メディアの中國(guó)経営報(bào)は29日、半導(dǎo)體開(kāi)発競(jìng)爭(zhēng)の2大勢(shì)力である臺(tái)灣積體電路製造（TSMC）と韓國(guó)サムスン電子について、最先端の2ナノメートル（ナノは10億分の1）量産ロードマップを明確に示し、製造プロセス戦爭(zhēng)を継続すると報(bào)じた。

記事によると、TSMCの魏哲家最高経営責(zé)任者（CEO）は19日の法人説明會(huì)で、2ナノ半導(dǎo)體の量産を計(jì)畫(huà)通り2025年に開(kāi)始できると述べた。

TSMCは22年6月、3ナノプロセスの試験生産を同年下半期に開(kāi)始するとともに、1兆臺(tái)灣ドル（約4兆6200億円）を投じて2ナノの生産能力レイアウトを拡大し、24年の試験生産開(kāi)始と25年の量産開(kāi)始を目指すと明らかにしていた。

TSMCによると、2ナチップに新しいナノシート技術(shù)を採(cǎi)用することにより、最小のトランジスタ密度と最高の処理能力を備えたプロセス技術(shù)になる。

この新たなプロセスは、既存のFinFET（Fin Field-Effect Transistor）構(gòu)造の代わりに、漏電しにくく消費(fèi)電力を削減できるGAA（Gate All Around FET）構(gòu)造を採(cǎi)用する。

TSMCの宿敵であるサムスン電子も6月の「サムスンファウンドリーフォーラム2023」で2ナノプロセスの最新ロードマップを発表した。ファウンドリ事業(yè)部長(zhǎng)のチェ?シヨン氏は、2ナノ工程について、25年にモバイル用半導(dǎo)體の生産から開(kāi)始し、26年にハイパフォーマンス?コンピューティング（HPC）に2ナノ工程を適用し、27年に車(chē)向け半導(dǎo)體工程に拡大すると明らかにした。

記事は半導(dǎo)體アナリストのコメントして「製造プロセスにおける両社の競(jìng)爭(zhēng)が本格的に始まるのは2ナノからになるだろう」と伝えている。（翻訳?編集/柳川）