2024年6月2日、韓國(guó)?電子新聞は「HBM（High Bandwidth Memory、広帯域メモリー）市場(chǎng)に遅れて參入した米マイクロン?テクノロジーが、SKハイニックスやサムスン電子より高性能のHBM開(kāi)発に相次ぎ成功し、韓國(guó)メモリーを脅かす存在に急浮上している」と伝えた。

業(yè)界によると、マイクロンの次世代HBM新製品は低電力性能評(píng)価で優(yōu)秀な結(jié)果を出しており、SKハイニックス、サムスン電子より優(yōu)位に立っている。関係者は「韓國(guó)HBM業(yè)界もマイクロンの低電力技術(shù)を認(rèn)め、警戒し始めている」と話している。

マイクロンの次世代HBMは「HBM3E 12H」とみられる。同社は2月に公開(kāi)した「HBM3E 8H」でも競(jìng)合メーカー比30％電力効率の優(yōu)れた製品を出し、NVIDIAへの供給に成功しており、「次世代HBMでもトップに立つ勢(shì)い」だという。

また、これまで弱點(diǎn)とされてきた生産能力（CAPA）も急速に伸びており、SKハイニックスとサムスン電子を猛追しているという。マイクロンのHBM生産能力は今年12インチウェハ基準(zhǔn)2萬(wàn)枚。韓國(guó)2社の生産能力の20％ほどだが、來(lái)年には大きく拡大され、量産能力の面でも韓國(guó)の脅威になる見(jiàn)通しだという。

さらに同社は大規(guī)模設(shè)備投資も進(jìn)めている。最近、今年の施設(shè)投資計(jì)畫(huà)を従來(lái)の75億ドルから80億ドル（約1兆2483億円）に上方修正した。次世代HBM生産のためにニューヨーク州、アイダホ州に工場(chǎng)も新設(shè)するという。記事は「米國(guó)政府が半導(dǎo)體覇権を握るために自國(guó)中心の半導(dǎo)體支援政策を繰り出しているのも、シナジー効果を生んでいる」と評(píng)している。

マイクロンはCHIPS法（CHIPS and Science Act）により、61億ドルの補(bǔ)助金を受け取ることになっている。インテル、TSMC、サムスン電子に次いで4番目に規(guī)模が大きい。同社設(shè)備投資のかなりの部分に、政府からの半導(dǎo)體補(bǔ)助金が充てられるという。

この記事に、韓國(guó)のネットユーザーからは「米國(guó)政府は半導(dǎo)體をどんどん後押ししてくれるが、韓國(guó)は李在鎔（イ?ジェヨン）サムスン電子會(huì)長(zhǎng)を監(jiān)獄に送り、大した支援もしない。韓國(guó)の企業(yè)が世界で競(jìng)爭(zhēng)できないように邪魔している」「マイクロンは補(bǔ)助金をもらって工場(chǎng)や製品を作っているのに、韓國(guó)メーカーは支援をもらえず、たくさんの人から金をむしり取られ、悪徳企業(yè)の烙?。à椁い螅─蜓氦丹臁⒐?chǎng)建設(shè)も遅れている。これで海外企業(yè)と爭(zhēng)えるか？」「韓國(guó)はどんどん干上がっていく。政治家が企業(yè)に肥料ではなく農(nóng)薬ばかり與えるからだ」「數(shù)年以?xún)?nèi)に韓國(guó)半導(dǎo)體も駄目になりそうだ」「ハイニックスからマイクロンに人材が流れていったのだから、當(dāng)然の結(jié)果だ」などの聲が寄せられている。

一方で、「サムスン電子ののんきな高慢さを叱咤（しった）すべきだ」といったコメントも見(jiàn)られた。（翻訳?編集/麻江）