2025年2月12日、韓國(guó)?朝鮮ビズは「中國(guó)の半導(dǎo)體メモリ産業(yè)をけん引する長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)（CXMT）がDRAMに続いて技術(shù)難易度の高い広帯域メモリー（HBM）市場(chǎng)に參入するとみられ、サムスン電子とSKハイニックスに緊張が走っている」とし、「米國(guó)が対中制裁を強(qiáng)化する中で急速に技術(shù)力を高めているCXMTが、レガシー製品だけでなく最先端製品のHBMの量産に向けて加速した場(chǎng)合、今後數(shù)年以內(nèi)に韓國(guó)の半導(dǎo)體メモリ産業(yè)が打撃を受けるという悲観的な見(jiàn)方が出ている」と伝えた。

記事によると、CXMTは第2世代製品のHBM2の生産に向け設(shè)備投資を行っている。HBM2は韓國(guó)のサムスン電子、SKハイニックスが16年に量産を開(kāi)始した製品。記事は「韓國(guó)より10年ほど遅れているが、専門(mén)家の間では、HBM2製品の規(guī)格がすでに標(biāo)準(zhǔn)化されているため最先端のHBMに比べて開(kāi)発速度が加速すると予想されている」と説明している。

CXMTの開(kāi)発速度は20年代から急速に上がっている。中國(guó)産DRAMの世界市場(chǎng)シェアは20年まで0％だったが、昨年は5％に上昇した。韓國(guó)の半導(dǎo)體業(yè)界ではかつて、中國(guó)産DRAMの量産について不可能、もしくは10年以上かかるとの見(jiàn)方がほとんどだったという。また、CXMTは最近、DDR4など舊世代のDRAMだけなく、DDR5の開(kāi)発においても進(jìn)展をみせており、韓國(guó)では大規(guī)模量産への懸念が高まっている。

記事は「中國(guó)との技術(shù)差が急速に縮まっていることを受け、サムスン電子とSKハイニックスは重大な岐路に立たされている」とし、「すでにDDR4市場(chǎng)で中國(guó)の物量攻勢(shì)により打撃を受け始めている2社は、5年後の狀況に不安を抱いている」と伝えている。

専門(mén)家は「サムスン電子とSKハイニックスがすでに市場(chǎng)に出した製品は中國(guó)企業(yè)も1年あれば新製品を開(kāi)発できるほど技術(shù)力が向上している。ただ、大量量産のための工程では多少苦労するかもしれない」と指摘した。また、「汎用メモリー市場(chǎng)での中國(guó)との物量、価格対決は事実上不可能なため、パラダイムを変えてポートフォリオを多様化しなければならない」との見(jiàn)解を示したという。

この記事を見(jiàn)た韓國(guó)のネットユーザーからは「他國(guó)は政府が企業(yè)を後押ししているのに、韓國(guó)は政府が企業(yè)のじゃまをしてばかり」「韓國(guó)から技術(shù)を盜み、人材を盜んでいった結(jié)果では？スパイ法改正に反対する野黨のせいだ」「文在寅（ムン?ジェイン）前政権と共に民主黨がサムスンをいじめたから」「文前大統(tǒng)領(lǐng)がイ?ジェヨン氏（サムスントップ）を監(jiān)獄に入れて韓國(guó)の半導(dǎo)體を後退させた」「サムスンから技術(shù)を流出させた人を絶対に許してはならない。國(guó)を殺したも同然だ」「中國(guó)の技術(shù)は急速に成長(zhǎng)しているが、まだ韓國(guó)がリードしている。この差を維持する、またはさらに拡大させるには、技術(shù)革新のためのさらなる投資と戦略が必須」などの聲が上がっている。（翻訳?編集/堂本）