2024年2月24日、中國青年網(wǎng)は韓國の半導(dǎo)體技術(shù)について、その大部分がすでに中國に追い抜かれたとする報(bào)告を韓國の科學(xué)技術(shù)評価機(jī)関が発表したと報(bào)じた。

記事は韓國?聯(lián)合ニュースが23日報(bào)じた內(nèi)容として、韓國科學(xué)技術(shù)評価計(jì)畫研究院が同日に発表した調(diào)査報(bào)告の內(nèi)容を紹介。韓國の専門家39人を?qū)澫螭衰ⅴ螗暴`ト調(diào)査を?qū)g施したところ、24年時(shí)點(diǎn)で韓國の半導(dǎo)體分野の基礎(chǔ)力がすでに中國に後れを取っているとの見解が示されたと伝えた。

調(diào)査によると、技術(shù)的に最先端の國を100とした場合、韓國の高集積?低インピーダンスのメモリチップ技術(shù)は90．9で、中國94．1を下回った。また、高性能?低消費(fèi)電力の人工知能（AI）チップ技術(shù)でも韓國は84．1で中國の88．3より低かった。さらに、パワー半導(dǎo)體では韓國が67．5にとどまり、79．8だった中國との差が顕著だった。このほか、次世代高性能センサー技術(shù)では韓國が81．3、中國が83．9となり、先端半導(dǎo)體パッケージ技術(shù)では両國とも74．2でなんとか同水準(zhǔn)を保つ結(jié)果になったという。

また、半導(dǎo)體技術(shù)全體のライフサイクルに関する調(diào)査では、韓國は製造プロセスや量産では中國を上回るものの、技術(shù)開発や獨(dú)自性、設(shè)計(jì)の分野では中國に後れを取っていることが明らかに。22年の同様の調(diào)査では、韓國が高集積?低インピーダンスのメモリチップ、先端パッケージ技術(shù)、次世代高性能センサー技術(shù)の各分野で中國をリードしているとの結(jié)果が出ており、わずか2年で形勢が逆転する形になった。

記事は、調(diào)査に協(xié)力した専門家が韓國の半導(dǎo)體技術(shù)の課題として、コア人材の流出やAIチップ技術(shù)、米中間の競爭、自國優(yōu)先政策、サプライチェーンの現(xiàn)地化などを挙げたことを伝えた。

そして、この結(jié)果について韓國メディアからは、中國が米國からの圧力をものともせず成果を収めていること、半導(dǎo)體強(qiáng)國を目指す中國がこの10年間に國家レベルで大規(guī)模な投資を続けてきたことが報(bào)じられるとともに、「特に懸念されるのは、韓國企業(yè)が優(yōu)位性を持っていたメモリ分野と戦略的価値の高いセンサー分野で、中國に逆転を許したことだ」との評価が聞かれたことを紹介。韓國半導(dǎo)體産業(yè)協(xié)會のアン?ギヒョン専務(wù)が「中國は大學(xué)や研究機(jī)関への研究開発投資を惜しまず、人材や獨(dú)自技術(shù)を確保することで、産業(yè)全體の基盤を築いている」との見方を示したことを伝えた。（編集?翻訳/川尻）